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| 指標 | 參數 | 優勢說明 |
|---|---|---|
| 輸出功率 | 120W（12V/10A 或 24V/5A） | 單路大功率輸出 |
| 輸入電壓 | 85-265VAC 全電壓 | 全球電網兼容 |
| 轉換效率 | 89% | 碳化硅+同步整流，低發熱 |
| 開關頻率 | 100kHz | 平衡體積與效率 |
| 磁芯方案 | PQ32 | 小巧體積，易采購 |
| 核心IC | LP8841SC（芯茂微） | 高頻QR控制，外驅SiC MOS |
| 溫升控制 | IC溫度95℃左右，高低溫差小 | 熱設計余量充足 |
| EMI特性 | 內置抖頻，輕松過認證 | 節省濾波器成本 |
AC輸入 → 整流濾波 → LP8841SC + SiC MOS → PQ32變壓器 → 同步整流 → 12V/24V輸出
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原邊反饋（省去431+光耦）為什么選原邊反饋？
| 位號 | 器件 | 型號/參數 | 作用 |
|---|---|---|---|
| U1 | 控制IC | LP8841SC (SOT23-6L) | 高頻QR控制器，外驅SiC |
| Q1 | 主功率管 | SiC MOS (650V/100mΩ級) | 高頻低損耗開關 |
| T1 | 變壓器 | PQ32 (100kHz設計) | 能量傳輸與隔離 |
| U2 | 同步整流IC | 60V耐壓 (12V輸出時) | 替代肖特基，提升效率 |
| D1-D4 | 整流橋 | 4A/600V | AC整流 |
| C1 | 母線電容 | 100μF/400V | 輸入濾波 |
| 特性 | 參數 | 設計價值 |
|---|---|---|
| VCC工作范圍 | 16V~90V | 寬電壓供電，省去LDO |
| 最大頻率 | 130kHz | 本方案用100kHz，余量充足 |
| 驅動電壓 | 18V | 完美驅動SiC MOS |
| 抖頻功能 | ±5% @ 0.25ms周期 | EMI優化，省共模電感 |
| 工作模式 | QR → 谷底 → MPCM → 打嗝 | 全負載范圍高效 |
| 保護功能 | OPP/ZCD-OVP/Brown-in-out/OTP | 全保護覆蓋，安全可靠 |
重載 ( >60%負載) → QR模式：谷底開通，降低開關損耗
中載 (30%-60%) → 谷底導通模式：自動切換谷底數
輕載 (10%-30%) → MPCM模式：加大峰值電流，降頻至25.5kHz
空載/待機 → 打嗝模式：間歇工作，待機功耗<0.3W實際效果：100kHz高頻工作，但輕載自動降頻，解決傳統高頻方案輕載效率差的問題。
| 參數 | 設計值 | 說明 |
|---|---|---|
| 磁芯型號 | PQ32/20 | 120W功率等級標準選型 |
| 原邊電感量 | 350-400μH | 根據100kHz頻率計算 |
| 匝數比 | Np:Ns = 6:1 (12V輸出) | 考慮同步整流壓降 |
| 繞組方式 | 三明治繞法 | 減小漏感，降低尖峰 |
| 線徑 | 原邊0.4mm×2股，副邊0.6mm×4股 | 趨膚效應優化 |
【第一層】原邊繞組（一半匝數）
【第二層】副邊繞組（全部匝數）
【第三層】原邊繞組（剩余匝數）
【最外層】屏蔽層（可選，EMI優化）注意：LP8841SC通過ZCD腳檢測退磁完成點，實現谷底開通，變壓器漏感需控制在3%以內。
| 參數 | 選型要求 | 推薦方案 |
|---|---|---|
| 同步整流IC耐壓 | ≥60V | 預留20V尖峰余量 |
| MOS耐壓 | 60V | 低Rdson，<5mΩ |
| 驅動方式 | 自供電或原邊控制 | 副邊直接取電 |
【傳導EMI】
- 共模電感：10mH（可省略，視抖頻效果）
- X電容：0.22μF
- Y電容：2200pF（原副邊各一對）
【輻射EMI】
- 功率回路面積盡量小（母線電容→變壓器→MOS）
- 屏蔽銅箔：變壓器外圍包一圈接地銅皮實測結果：EN55032 Class B標準，6dB余量通過。
| 應用 | 輸出規格 | 關鍵調整 |
|---|---|---|
| 大功率適配器 | 12V/10A 或 24V/5A | 標準方案，直接套用 |
| LED驅動電源 | 24V/5A | 恒壓輸出，后端加恒流IC |
| 小家電電源 | 12V/8A + 5V/2A | 增加5V輔路繞組 |
| 快充充電器 | 需PD協議 | LP8841SC+PD協議芯片組合 |
| 對比維度 | 傳統MOS方案 | 本SiC方案 |
|---|---|---|
| 開關頻率 | 65kHz | 100kHz → 變壓器體積↓30% |
| 主功率管 | 超結MOS (Rdson 0.5Ω) | SiC MOS (Rdson 0.1Ω) → 效率↑3% |
| 反饋方式 | 光耦+431 | 原邊反饋 → 省2顆IC |
| 整流方式 | 肖特基二極管 | 同步整流 → 效率↑3%，溫升↓ |
| EMI對策 | 大共模電感 | 內置抖頻 → 省共模電感 |
| 綜合成本 | 基準 | 相當或更低，性能更優 |
核心價值：用LP8841SC的高集成度，配合SiC和同步整流，在PQ32小體積內實現120W高密度電源，效率89%、溫升可控、EMI一次過，適合成本敏感又要求性能的消費電子應用。深圳三佛科技提供技術支持，批量價格有優勢~