在小功率開關電源領域,工程師們一直在尋找一種既能滿足高效率、低待機功耗,又能簡化設計、降低成本的解決方案。聚元微推出的 PL3395BD 副邊反饋 PWM 控制芯片,憑借其高性能、低功耗和極簡設計,成為了一個極具吸引力的選擇。PL3395BD 不僅內置了多種高級功能,如頻率抖動、斜坡補償和綠色模式,還通過副邊反饋實現了高精度的恒壓恒流控制。本文將從管腳功能、內部結構、典型應用和實測數據四個方面,全面解析這顆芯片的設計亮點和實際應用價值。
管腳排列與功能(DIP-7 頂視圖)

DRAIN(5/6 腳并聯)- 內部 650 V 功率 MOSFET 漏極,同時兼高壓自供電通道,省掉外部 22 μF/400 V 啟動電容。
FB - 副邊光耦直接拉低此腳即可實現恒壓;當 VFB < 1.4 V 進入降頻,< 1.0 V 進入 burst,空載無噪音。
CS - 外接 RCS 即可,內置 300 ns LEB,無需 RC 濾波;同時提供 100 mV 短路閾值,3 個周期即保護。
內部框圖一句話導讀

綠色 burst:負載減輕時先降頻再打嗝,音頻能量 < 20 dB
抖頻:±7 % / 周期,125 Hz 步進,傳導 EMI 峰值下降 3-5 dB
軟啟動:9 ms 階梯抬升 VCS-max,變壓器零飽和
驅動鉗位:13.5 V 柵極封頂,防止 MOS 過驅
典型應用圖(12 V/3 A 適配器)

BOM 增量:僅 3 顆電阻+光耦+TL431,比傳統原邊 SSR 方案省 6 顆器件,占板 1 cm2。
關鍵實測數據(demo 板 12 V/3 A,Ta=25 ℃)
| 項目 | PL3395BD | 主流 OB**** | 差異 |
|---|
| 滿載效率 230 V | 87.3 % | 84.9 % | +2.4 % |
| 空載輸入 230 V | 62 mW | 95 mW | -33 mW |
| 傳導 EMI QP | <55 dBμV | 臨界 60 dBμV | 余量 5 dB |
| 過載保護 | 3.8 A | 3.5 A | 更寬松 |
| OTP 進入 | 150 ℃ | 150 ℃ | 相同 |
| 芯片成本 | ≈0.19 $ | 0.25 $ | -24 % |
波形記錄:
Vds-max 420 V@264 V 輸入,漏極鉗位 135 V,裕量 230 V
動態 0-3 A 階躍,ΔVo = ±0.35 V,恢復時間 400 μs
Burst 模式:1.0 V-1.1 V 遲滯,無音頻噪音
設計步驟“三件套”
定 RCS
RCS = 0.75 V / Ipk-prim;Ipk-prim = (Io × Ns/Np) / 0.8(連續模式)
選變壓器
Lp 按 0.9 mH-1.2 mH 選取,Ae 約 19 mm2(EE20),ΔB = 0.25 T
輔助繞組
Na = Ns × (15 V / Vo),二極管 UF4007,VCC 電容 10 μF/25 V 陶瓷即可
常見疑問 Q&A
Q:能否直接驅動 100 W?A:芯片 36 W 上限,>3 A 請選外驅方案,PL3395BD 僅適 5-24 V/0.5-3 A。
Q:burst 模式輸出紋波會不會變大?A:打嗝頻率 1 kHz,輸出電容 ≥ 470 μF 時,紋波 < 120 mV,遠優于手機充電器標準。
Q:與 LP8778 副邊控制相比如何?
A:LP8778 需外 MOS,PL3395BD 內置 650 V 管,BOM 更簡,功率段互補。
PL3395BD 的出現,為小功率開關電源的設計提供了一個全新的思路。通過副邊反饋和內置的多種高級功能,它不僅實現了高效率和低待機功耗,還極大地簡化了外圍電路設計。在實際應用中,PL3395BD 的性能表現卓越,無論是滿載效率、空載功耗還是 EMI 性能,都遠超傳統方案。深圳三佛科技提供技術支持,批量價格有優勢~